碳化硅是一种比硅更昂贵的材料，碳化硅MOSFET的单位成本明显高于硅MOSFET或IGBT的单位成本，并且很可能继续如此。但是当比较总体系统成本而不是MOSFET单位成本时，如果用户准备重新考虑电路设计以充分利用碳化硅器件的属性，那么碳化硅替代方案在高压电力系统设计中是可取的。 　　这可能意味着： 　　减小散热片的尺寸、重量