植体应用主要包括除颤器及心脏起博器、神经刺激器、可注射监测器和可吸入电子。安森美半导体为此类应用提供ASIC、存储器、分立元件、模块及晶圆代工服务。

以植入式神经刺激平台为例，安森美半导体提供集成控制器、存储器、数字、模拟和高压的单芯片方案，使用多通道浪涌抑制器(TSS)进一步显著减少分立元件数(通常将IC裸片数从3-4颗减少至1-2颗)，有助于减小电路板所占空间，简化设备制造和物流，降低成本和功耗，减少对系统/电路板的依赖，提升品质，加快产品上市时间，降低开发风险。

安森美半导体提供二极管、MOSFET、IGBT、电源稳压器等标准分立元件用于医疗应用，并提供可定制的选择配合医疗市场需要(表1)。

安森美半导体可根据医疗应用的独特需求提供定制的ASSP，如多通道瞬态浪涌抑制器可根据独特的物理要求和电气参数而定制，具备极快导通、最大浪涌电流大于12 A等关键特性；并提供引脚少、漏电流超低、存储容量达8 Mb、实现超低功耗的SRAM、EEPROM和SRAM-Flash。

为实现更低成本、更高能效，安森美半导体还提供替代EEPROM、FRAM和标准SRAM的串行SRAM存储器。并行SRAM通常需要3路控制输入、15路地址输入和8路数据I/O共26条线路，仅用于低功耗应用。而串行SRAM仅需共4条线路，且占位面积更小，引脚更少，功耗更低，可保存备份平均10年的数据，系统成本更低，非常适合用于心脏监测设备等小尺寸应用。

特别地，为配合特定要求的FDA III，安森美半导体提供医疗级标准元件用于植体或生命攸关的应用，并提供符合MIL-PRF-1950标准、认证的MIL-STD-750 测试法、支持JAN/JANHC 品质水平、于国防后勤局(DLA)批准的生产线制造等军工标准协议模式的高可靠性工艺流程。

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