我们知道每种电容都有它的频率特性，那么AVX 钽电容的频率特性是怎么样的呢？AVX 钽电容随着频率的增加有效电容的值会减小，直到共振达到（通常视0.5 - 5MHz 的之间该评级）。

除了共振频率的设备变得感性。除了100kHz 的电容继续下降。下面以AVX 贴片钽电容E型的220UF 10V 规格为例，电子元器件来说明钽电容的频率特性AVX 钽电容温度特性曲线。

在介绍AVX 钽电容的温度特性曲线前，我们必需对以下两个基本概念有所认识：

额定容量（CR）

这是额定电容。对于钽OxiCap?电容器的电容测量是在25° C 时等效串联电路使用测量电桥提供一个0.5V RMS120Hz 的正弦信号，谐波与2.2Vd.c.

电容公差

这是实际值的允许偏差电容额定值。

AVX 钽电容的温度特征。

钽电容器的电容随温度变化而发生变化。这种变化本身就是一个小的程度上依赖额定电压和电容的大小。从下面的温度曲线图上可以看出在工作温度范围内，钽电容和铌电容的容量会随着温度的上升而上升。

损耗角正切（TAN）。

这是一个在电容器的能量损耗的测量。它表示，为棕褐色，是电容器的功率损耗其无功功率分为一组指定的正弦电压频率。也用的术语是功率因数，损耗因子和介电损耗。 COS（90 - ）是真正的功率因数。 “使用测量进行测量谭桥梁，提供一个0.5V RMS120Hz 的正弦信号。

耗散与温度的关系

耗散系数随温度变化的典型曲线表演。这些地块是钽和OxiCap 相同电容器。

耗散因数测量的切线损耗角（TAN），以百分比表示。测量DF 是开展测量桥梁供应一个0.5V RMS120Hz 的正弦信号，免费谐波与偏见2.2Vdc. DF 值是温度和频率依赖性。注意：对于表面贴装产品所允许的最大DF 值表示的收视率表是很重要请注意，这些限额会见了由组件后基板上焊接。

耗散因数的频率依赖性

随着频率的增加损耗因数所示钽和OxiCap 庐电容器的典型曲线相同的AVX 钽电容的阻抗（Z）。

这是电流电压的比值，在指定的频率。三个因素促成了钽电容器的阻抗；半导体层的电阻电容价值和电极和引线电感。在高频率导致的电感成为一个限制因素。温度和频率的行为确定这三个因素的阻抗行为阻抗Z.阻抗是在25° C 和100kHz.